Optoelektronik Laboratuvarı

Laboratuvar İsmi  OPTOELEKTRONİK LABORATUVARI
Laboratuvar Sorumlusu

Prof. Dr. Rauf Süleymanlı
Prof. Dr. MirHasan Seyitsoy

İlgili Bölüm Fizik (Optoelektronik Araştırma Grubu)
Telefon 0 262 605 1340
Adres

Gebze Teknik Üniversitesi Çayırova Kampüsü

L Blok (Ögretim Üyeleri Ofisleri) No:106 Gebze /Kocaeli

Laboratuvar Çalışanları

Araş. Gör. Serdar Gören

Genel Bilgi

Gebze Teknik Üniversitesi Temel Bilimler Fakültesi Fizik Bölümü Optoelektronik Araştırma Laboratuvarları’nın kuruluş amacı, çeşitli yarıiletken tabanlı elektronik ve optoelektronik yapıların geniş bir sıcaklık aralığında (10 K ile 300 K arası) optik ve elektronik karakterizasyonu, çeşitli dış alan etkileri altında yük taşınımı mekanizmalarının incelenmesi, yarıiletken yapılar içinde olabilecek yapısal kusurların belirlenmesi, optoelektronik yapıların tasarımı ve bu yapılara dayalı sensör geliştirilmesine yönelik çalışmalar yapmaktır. Bu laboratuvarlar optoelektronik malzeme ve aygıtların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu konularında mükemmeliyet merkezi haline gelmiştir. Laboratuvarın hala bulunmakta olduğu mekanda kuruluşu 2004 yılında gerçekleşmiştir. İlerleyen yıllarda laboratuvar olanakları Prof. Dr. Mirhasan Seyitsoy ve Prof. Dr. Rauf Süleymanlı’nın gerçekleştirdikleri çeşitli projeler ile alınan cihazlarla genişletilmiştir. Laboratuvarların sahip olduğu imkânlar uluslararası işbirliklerine olanak tanımaktadır.

Yapılan Uygulamalar
  • Optik Karakterizasyon
  • Spektral Fotoiletkenlik: Fotoiletkenlik spektrumu malzemelerin bant aralığı ve olası tuzak seviyeleri hakkında bilgi verir. Ölçümler 10 - 300K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalga boyu bölgesinde (200 – 1200 nm) yapılabilmektedir.
  • Spektral Fotovoltaj: Spektral fotovoltaj malzemelerde yer alan kusurların incelenmesi ve ışık altında oluşan fotovoltajın büyüklüğünün dalga boyuna göre değişiminin gözlenmesinde kullanılmaktadır. Ölçümler 10 - 300K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalga boyu bölgesinde (200 – 1200 nm) yapılabilmektedir.
  • Fotolüminesans: Fotolüminesans yarıiletkenlerin bant aralıklarının ve ışımalı tuzak seviyelerinin enerjilerinin belirlenmesinde kullanılmaktadır. Ayrıca ışık kaynağının şiddetine bağlı olarak incelen fotolüminesans değişimleri bant aralığı civarında yer alan lokalize seviyelerin enerjilerinin belirlenmesinde de kullanılmaktadır. Ölçümler 10 – 300 K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalga boyu bölgesinde (200 – 1200 nm) yapılabilmektedir.
  • Yarıiletken malzemelerin optiksel özelliklerinin incelenmesi: Malzemelerin optiksel özellikleri dalga boyuna bağlı olarak geçirgenlik ölçümüyle belirlenmektedir.
  • Malzemenin fiziksel ve kimyasal özellikleri: Bant aralığı, eksitonik ve kusur seviyeleri ve başka bu ölçümleriyle belirlenmektedir.
  • Elektriksel Karakterizasyon
  • Akım - Voltaj (I-V) Ölçümleri
  • Thermally Stimulated Current (ısı uyarılmış akım): Yarıiletken malzemelerin bant aralığı içinde bulunan tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitlerinin belirlenmesi için kullanılmaktadır.
  • Thermally Stimulated Depolarization Current (ısı uyarılmış depolarizasyon akımı): Yarıiletken ve yalıtkan malzemelerinde çeşitli polarizasyon olayların incelenmesi ve polarizasyon – kutuplaşma olaylarına sebep olan mekanizmaların belirlenmesi.
Cihazların listesi
  • Optik Masa ve Dolapları ( Mermer ve Demir Altlıklı)
  • Kapalı Devre He Soğutma Sistemi (7K- 330K)
  • Kapalı Devre Soğutma Sistemi için He Kompresör
  • Sıcaklık Kontrol Ünitesi (Lakeshore)
  • Çeşitli Kreostat (77K-330K)
  • Vakum Pompası (Gösterge ve bağlantı ekipmanları ile)
  • 1 Adet Ölçüm Bilgisayarı
  • Çeşitli Optik Setler ( Mercekler, Aynalar, Tutucular)
  • DC Güç Kaynağı
  • Keithley Multimetre, Elektrometre, Akım Kaynağı, Pikoampermetre
  • Spektrometre
  • Çeşitli Osiloskoplar
  • Lock in Amplifier
  • Nd:YAG Laser
Üretilen Projeler

M-H.Yu.Seyidov, R.A.Suleymanov, E.Yakar, Y. Şahin, M. Açikgöz: “Memory effect and new polarized state in the incommensurate phase of TlGaSe2 ferroelectric – semiconductor” Journal of Applied Physics, 110, 013529 (2011).